12/18/2020，隨著云服務(wù)、AI、以及5G應(yīng)用的蓬勃發(fā)展，全球流量持續(xù)爆發(fā)，因此對(duì)數(shù)據(jù)中心通信端口帶寬的要求也在不斷提升。在400GbE標(biāo)準(zhǔn)—IEEE?（電氣和電子工程師協(xié)會(huì)）?802.3bs標(biāo)準(zhǔn)完成之后，業(yè)界越來(lái)越多的目光，開(kāi)始聚焦于面向下一代的800G光收發(fā)技術(shù)和標(biāo)準(zhǔn)的研究。



800G可插拔光模塊MSA工作組已于2019年9月成立，并且IEEE也于近期完成了對(duì)800G及以上帶寬的評(píng)估工作?；赑AM-4（4?Pulse?Amplitude?Modulation,?第四代脈沖幅度調(diào)制）信號(hào)格式的4×200G方案，作為面向800G光接口的潛在應(yīng)用方案之一，其可以在現(xiàn)有400G光模塊架構(gòu)上通過(guò)速率升級(jí)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)演進(jìn)，因此在數(shù)據(jù)中心光接口中極具競(jìng)爭(zhēng)力。

因此，為滿足800G光模塊的要求，國(guó)際上已經(jīng)出現(xiàn)了一些關(guān)于超高速單波200?Gb/s光發(fā)射技術(shù)的研究和報(bào)道，例如基于諸如硅、磷化銦、硅基有機(jī)聚合物、鈮酸鋰薄膜等材料的調(diào)制器。

其中，由于硅光技術(shù)可以與成熟的硅集成電路工藝平臺(tái)兼容且適用于高密度光子集成，因此被認(rèn)為是面向下一代數(shù)據(jù)中心光互連中最具前景的應(yīng)用方案之一。

然而，由于硅材料中存在相對(duì)較弱且較慢的載流子色散效應(yīng)，從而基于純硅方案的電光調(diào)制器在性能方面受到限制—通常3?dB帶寬僅~30?GHz左右，因此要實(shí)現(xiàn)800?Gb/s的高速硅光發(fā)射機(jī)仍面臨很大挑戰(zhàn)。

近日，來(lái)自國(guó)家信息光電子創(chuàng)新中心和中國(guó)信息通信科技集團(tuán)的張紅廣博士和李淼峰博士，在Photonics?Research2020年第11期上首次展示了一款基于硅光技術(shù)的4×200?Gb/s集成發(fā)射機(jī)。


800?Gb/s硅光集成發(fā)射機(jī)示意圖